نحوه طراحی و ساخت یک تقویت کننده متوازن کم نویز مبتنی بر ترانزیستور hjfet در باند فرکانسی ghz ۱۱-۹

نویسندگان

زهرا زین الدینی

دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر ذاکرحسین فیروزه

دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر رضا بهادری نژاد

دانشگاه صنعتی اصفهان - پژوهشکده اویونیک

چکیده

تقویت کننده های متوازن که طبقات آن با دو تزویج کننده متعامد به هم متصل شده اند معمولاً در مدارات مجتمع مایکروویو برای اجزاء توان بالا و پهن باند استفاده می شود. از کاربردهای مهم تقویت کننده متوازن در فرستنده/گیرنده رادارهای آرایه-فازی با تعداد زیاد است که موردنیاز سامانه های راداری هوافضا است و تقویت کننده متوازن مطلوب ترین گزینه برای به دست آوردن اهداف پیش بینی شده است. در تحقیق حاضر، چندین ترکیب کننده/مقسم توان مایکروویوی از قبیل تزویج کننده لنج، تزویج کننده ویلکینسون و تزویج کننده شاخه- خط و همچنین تقویت کننده کم نویز متوازن با استفاده از این تزویج کننده ها در بازه فرکانسی 9 تا 11 گیگاهرتز طراحی و شبیه سازی شده است و نتایج آن ها با تقویت کننده کم نویز تک خروجی مقایسه شده است. از میان تقویت کننده های طراحی شده تقویت کننده متوازن با تزویج کننده ویلکینسون دوطبقه به عنوان طرح نهایی انتخاب و ساخته شده است، که تقویت کننده ساخته شده در بازه فرکانسی مذکور دارای بهره ای صاف 12 دسی بل با تغییرات 0.5± دسی بل و میزان تلفات بازگشتی در ورودی و خروجی به ترتیب، بیش تر از 15 دسی بل و 10 دسی بل می باشد. به علاوه، عدد نویز تقویت کننده در فرکانس 10 گیگاهرتز 1.3 دسی بل با روش فاکتور y اندازه گیری شده است.

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

نحوه طراحی و ساخت یک تقویت‌کننده متوازن کم‌نویز مبتنی بر ترانزیستور HJFET در باند فرکانسی GHz 11-9

تقویت‌کننده‌های متوازن که طبقات آن با دو تزویج‌کننده متعامد به هم متصل شده‌اند معمولاً در مدارات مجتمع مایکروویو برای اجزاء توان بالا و پهن‌باند استفاده می‌شود. از کاربردهای مهم تقویت‌کننده متوازن در فرستنده/گیرنده رادارهای آرایه-فازی با تعداد زیاد است که موردنیاز سامانه‌های راداری هوافضا است و تقویت‌کننده متوازن مطلوب‌ترین گزینه برای به‌دست آوردن اهداف پیش‌بینی‌شده است. در تحقیق حاضر، چندین ترک...

متن کامل

یک تقویت کننده کم نویز پهن باند با ترانزیستورهای مکمل

تقویت‌کننده کم‌نویز یکی از مهمترین بلوک‌های به کار رفته در یک گیرنده راداری مانند گیرنده های راداری کنترل آتش محسوب می‌شود. در این مقاله یک تقویت‌کننده کم‌نویز پهن‌باند در محدوده فرکانسی 5/2 تا 5/5 گیگا هرتز ارائه شده است. ساختار این مدار در طبقه ورودی به صورت سورس مشترک تعریف شده و تکنولوژی مورد استفاده در طراحی این تقویت‌کننده است. ولتاژ تغذیه مدار 5/1 ولت و توان مصرفی آن18 میلی وات است. تقوی...

متن کامل

مدلسازی، طراحی و ساخت تقویت کننده کم نویز متوازن در باند x

ساده ترین و راحت ترین راه برای به دست آوردن توان بالا و پهنای باند وسیع استفاده از تکنیک های ترکیب توان در طراحی تقویت کننده است. برای مثال، از تقویت کننده های متوازن که طبقات آن با دو تزویج کننده متعامد به هم متصل شده اند معمولاً در مدارات مجتمع مایکروویو برای اجزاء توان بالا و پهن باند استفاده می شود. به تعداد زیادی اجزاء یکسان برای کاربرد در فرستنده/گیرنده رادارهای آرایه-فازی و سیستم های ارتب...

طراحی پیش تقویت کننده rgc کم نویز مدار مجتمع cmos با پهنای باند ghz 20 و بهره dbω 60

در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

متن کامل

طراحی تقویت کننده کم نویز برای باند ku

در این پایان نامه سه تقویت کننده کم نویز برای باند ku طراحی شده اند . در هر یک از این سه طرح سه روش تطبیق متفاوت مبتنی بر طراحی فیلتر میانگذر برای نخستین بار استفاده شده است . دو مدار نخست از ناحیه کانال کوتاه و اشباع حامل ها برای دستیابی به حداکثر گین ، خطینگی و فرکانس قطع برای ترانزیستورها استفاده می کنند و علاوه بر آن نسبت به کارهای مشابه توان بسیار کمتری مصرف می کنند . در طرح فیلتر ورودی د...

15 صفحه اول

طراحی پیش تقویت‌کننده RGC کم نویز مدار مجتمع CMOS با پهنای باند GHz 20 و بهره dBΩ 60

در این مقاله، یک مدار تقویت‌کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه می‌شود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت‌کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید


عنوان ژورنال:
مهندسی برق دانشگاه تبریز

جلد ۴۷، شماره ۱، صفحات ۹۳-۱۰۵

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023